IPB200N15N3 G
Infineon Technologies
Deutsch
Artikelnummer: | IPB200N15N3 G |
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Hersteller / Marke: | Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) |
Teil der Beschreibung.: | IPB200N15N3 G Infineon Technologies |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Anzahl | Einzelpreis |
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1000+ | $1.1484 |
2000+ | $1.0692 |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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VGS (th) (Max) @ Id | 4V @ 90µA |
Vgs (Max) | ±20V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | PG-TO263-2 |
Serie | OptiMOS™ |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 20 mOhm @ 50A, 10V |
Verlustleistung (max) | 150W (Tc) |
Verpackung | Tape & Reel (TR) |
Verpackung / Gehäuse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Befestigungsart | Surface Mount |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1820pF @ 75V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 31nC @ 10V |
Typ FET | N-Channel |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 8V, 10V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 150V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 50A (Tc) |
IPB200N15N3 G Einzelheiten PDF [English] | IPB200N15N3 G PDF - EN.pdf |
IPB200N25N3G INFINNO
IPB200N15 - 12V-300V N-CHANNEL P
INFINEON TO-263-7L
MOSFET N-CH 150V 50A D2PAK
IPB180P04P4L-02 INFINEO
IPB200N25N3 G Infineon Technologies
MOSFET P-CH 40V 180A TO263-7
INF TO-263
INFINEON TO-263
MOSFET P-CH 40V 180A TO263-7
IPB200N25N3 Infineon
N-CHANNEL POWER MOSFET
MOSFET P-CH 40V 180A TO263-7
TRENCH >=100V PG-TO263-3
MOSFET P-CH 40V 180A TO263-7
IPB200N15N3S INFINEON
INFINEON TO263
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() IPB200N15N3 GInfineon Technologies |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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